ED02AH工艺是一款自1995年就规模商用的0.18μm pHEMT工艺，ED02AH允许在单片MMIC上同时有增强型pHEMT管和耗尽型pHEMT管，是设计、生产多功能芯片的首选工艺。其中，多功能芯片广泛应用于相控阵应用领域。

ED02AH工艺技术已通过欧洲宇航局航天级认证，并被列入欧洲宇航局首选器件清单（EPPL）。

ED02AH工艺射频/直流特性

l两个不同开启电压Vt

——增强型：225mV；

——耗尽型：-900mV；

l击穿电压：Vbgd=8V（典型值）；

l截止频率：Ft=60GHz；

l全局钝化处理

——外延电阻；

——镍铬电阻；

——MIM电容（400pf/mm²和49pf/mm²）；

——螺旋电感；

——空气桥；

——通孔；

——微凸台；

——封装级产品：全局150nm氮化硅钝化层（标准）或300nm（可选）氮化硅钝化层。