ED02AH工艺是一款自1995年就规模商用的0.18μm pHEMT工艺,ED02AH允许在单片MMIC上同时有增强型pHEMT管和耗尽型pHEMT管,是设计、生产多功能芯片的首选工艺。其中,多功能芯片广泛应用于相控阵应用领域。
ED02AH工艺技术已通过欧洲宇航局航天级认证,并被列入欧洲宇航局首选器件清单(EPPL)。
ED02AH工艺射频/直流特性
l两个不同开启电压Vt
——增强型:225mV;
——耗尽型:-900mV;
l击穿电压:Vbgd=8V(典型值);
l截止频率:Ft=60GHz;
l全局钝化处理
——外延电阻;
——镍铬电阻;
——MIM电容(400pf/mm2和49pf/mm2);
——螺旋电感;
——空气桥;
——通孔;
——微凸台;
——封装级产品:全局150nm氮化硅钝化层(标准)或300nm(可选)氮化硅钝化层。