D01PH工艺技术自1999年规模商用,是一款135nm的耗尽型pHEMT工艺;OMMIC采用该工艺来制备1GHz到50GHz的超低噪声放大器和中功率放大器产品。
优异的噪声系数:NF<0.6dB@2GHz,NF<1.5dB@10GHz。
D01PH工艺技术已通过欧洲宇航局航天级认证,并被列入欧洲宇航局首选器件清单(EPPL)。
D01PH工艺射频/直流特性
l击穿电压:Vbgd=8V(典型值);
l开启电压:Vt=-0.9V;
l截止频率:Ft=100GHz;
l最高频率:Fmax=180GHz;
l噪声系数:NFmin=1.1dB@30GHz;
l1dB压缩点功率:P1dB/mm(40GHz)=640mW/mm;
l全局钝化处理
——外延电阻;
——镍铬电阻;
——MIM电容(400pf/mm2和49pf/mm2);
——螺旋电感;
——空气桥;
——通孔;
——微凸台;
——封装级产品:全局150nm氮化硅钝化层(标准)或300nm(可选)氮化硅钝化层;
——芯片标准厚度100μm(如果有特殊要求,70μm厚度可选);
——厚金属层可选,用于优化芯片噪声性能。