D01PH工艺技术自1999年规模商用，是一款135nm的耗尽型pHEMT工艺；OMMIC采用该工艺来制备1GHz到50GHz的超低噪声放大器和中功率放大器产品。

优异的噪声系数：NF＜0.6dB@2GHz，NF＜1.5dB@10GHz。

D01PH工艺技术已通过欧洲宇航局航天级认证，并被列入欧洲宇航局首选器件清单（EPPL）。

D01PH工艺射频/直流特性

l击穿电压：Vbgd=8V（典型值）；

l开启电压：Vt=-0.9V；

l截止频率：Ft=100GHz；

l最高频率：Fmax=180GHz；

l噪声系数：NFmin=1.1dB@30GHz；

l1dB压缩点功率：P1dB/mm（40GHz）=640mW/mm；

l全局钝化处理

——外延电阻；

——镍铬电阻；

——MIM电容（400pf/mm²和49pf/mm²）；

——螺旋电感；

——空气桥；

——通孔；

——微凸台；

——封装级产品：全局150nm氮化硅钝化层（标准）或300nm（可选）氮化硅钝化层；

——芯片标准厚度100μm（如果有特殊要求，70μm厚度可选）；

——厚金属层可选，用于优化芯片噪声性能。