D007IH工艺技术自2011年规模商用，是一款70nm的mHEMT工艺；OMMIC采用该工艺制备频率从20GHz到160GHz的超低噪声放大器产品。

D007IH工艺技术的产品噪声系数极低，可达2.8dB（典型值）@90GHz！适用于通信、卫星通讯、被动成像等领域。

D007IH工艺射频/直流特性

l业界领先的70nm双mushroom结构栅极；

l高掺铟沟道（掺铟浓度达70%！）；

l截止频率：Ft=300GHz；

l最高频率：Fmax=450GHz；

l极低噪声系数：NFmin=0.5dB@30GHz；

l增益：12.5dB@30GHz；

l全局钝化处理

——外延电阻；

——镍铬电阻；

——MIM电容（400pf/mm²和49pf/mm²）；

——螺旋电感；

——空气桥；

——通孔；

——微凸台；

——全局钝化芯片：覆盖150nm氮化硅；

——封装级产品：全局150nm氮化硅钝化层（标准）或300nm（可选）氮化硅钝化层；

——芯片标准厚度100μm（如果有特殊要求，70μm厚度可选）；

——厚金属层可选，用于优化芯片噪声性能。